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J-GLOBAL ID：201802210983119198   整理番号：18A0968876

多結晶有機トランジスタにおける電荷と電界分布の顕微鏡的ゲート変調イメージング【JST・京大機械翻訳】

Microscopic gate-modulation imaging of charge and field distribution in polycrystalline organic transistors

著者 (4件)： Matsuoka Satoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Tsutsumi Jun’ya (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Kamata Toshihide (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Hasegawa Tatsuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8565, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 13  ページ： 135301-135301-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,動作する有機薄膜トランジスタ(TFT)における不均一電荷と電場分布を可視化するために,高分解能顕微鏡ゲート変調イメージング(μ-GMI)技術を開発することに成功した。15Hzの交互周波数でバイアスされたゲートオフ状態とゲートオフ状態の間の半導体チャネルの差分画像を得るために,高感度で回折限界のゲート変調センシングを行った。結果として,多結晶ペンタセンTFTにおいて1.85eVのプローブ光子エネルギーで正と負の局所ゲート変調(GM)信号の予想外に不均一な分布を観測した。種々の光子エネルギーにおける一連のμ-GMIに基づく分光分析は,多結晶ペンタセンチャネル層内で,1.85eVの負GM信号が電荷蓄積の効果に起因する二次誘導体様GMスペクトルから生じるが,正GM信号は漏れゲート場の効果に起因する一次誘導体様GMスペクトルから生じることを明らかにした。多結晶形態との比較により,結晶粒中心は低電荷密度により高漏れゲート場をもつ領域により支配され,一方,結晶粒端は集中キャリアトラップに関連する特定の空間拡張をもつ高電荷密度領域であることを示した。結果として,より大きな結晶粒はより高いデバイス移動度をもたらすが,電荷分布においてより大きな不均一性をもたらすことが合理的に理解される。これらの知見は,多結晶TFTの素子特性を改善するための手掛かりを提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多結晶 ,  電荷分布 ,  *電荷 ,  *画像処理 ,  帯電 ,  半導体 ,  結晶形態 ,  結晶粒 ,  チャネル ,  キャリア捕獲 ,  高分解能 ,  スペクトル ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  *電界分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 多結晶 ,  有機トランジスタ ,  電荷 ,  電界分布 ,  ゲート ,  変調 ,  イメージング