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J-GLOBAL ID：201802246432343182   整理番号：18A0860757

破壊に対する臨界エネルギーを用いたBEOL TDDB信頼性モデリングと寿命予測【JST・京大機械翻訳】

BEOL TDDB reliability modeling and lifetime prediction using critical energy to breakdown

著者 (4件)： Chen Pin-Shiang (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lee Shou-Chung (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsinchu, Taiwan) ,  Oates A. S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsinchu, Taiwan) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： 6B.5-1-6B.5-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間依存絶縁破壊(TDDB)データによるライン(BEOL)キャパシタの漏れ電流のモデリングを組み合わせることにより,電気ストレス中のキャパシタのハード破壊が誘電体を流れる漏れ電流の相互作用の直接的な結果であることを示した。さらに,絶縁破壊は臨界エネルギー密度が誘電体中に散逸された後に起こることを見出した。誘電の劣化はPoole-Frenkel(P-F)伝導とのみ関連することを見出した。トンネル電流は金属-絶縁体-金属(MIM)構造に対する陽極正孔注入(AHI)の不在による破壊に寄与しない。硬い破壊時間は,VE依存性電場を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  絶縁体 ,  絶縁破壊 ,  漏れ電流 ,  エネルギー密度 ,  *モデリング ,  誘電体 ,  電場 ,  時間依存性 ,  *臨界 ,  *寿命予測 ,  正孔注入 ,  *経時絶縁破壊
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  *TDDB ,  *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 破壊 ,  BEOL ,  TDDB ,  信頼性モデリング ,  寿命予測