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J-GLOBAL ID：201802259748462620   整理番号：18A0699676

半導体製造装置開発にいかすシミュレーション技術

著者 (2件)： 西堂周平 (日立国際電気 技術開発本部) ,  佐々木隆史 (日立国際電気 技術開発本部)
資料名： 日立国際電気技報  (Hitachi Kokusai Electric Technology Journal)
号： 18  ページ： 27-32  発行年： 2018年03月26日 
JST資料番号： X0673B  ISSN： 1346-5953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： IoTやデータセンタ,AIなどの発展に伴い半導体の需要が拡大し続ける一方,デバイスの微細化・多層化が進み,半導体製造装置に求められる品質も厳しくなっている。装置開発に際し,シミュレーション技術を活用すれば反応炉内の物理現象を把握でき,また数値実験により開発期間とコストを大幅に低減することができる。本稿では,熱/流れ/反応シミュレーションで最も難しく,重要な部分である反応モデルの構築手順の概要を示した。適切な反応モデルを構築することで実験結果を再現でき,さらにハード/プロセスの最適化によりプロセス性能が改善された事例を紹介する。開発の初期段階からシミュレーション技術を有効に活用した成果として,次世代デバイス向け縦型半導体製造装置「TSURUGI-C²」の早期の製品化を実現した。今後も未知の反応モデルの構築や解析対象の拡大を進めて装置開発に貢献していく。(著者抄録)

シソーラス用語： *装置 ,  *計算機シミュレーション ,  シミュレーションモデル ,  *プロセス制御 ,  反応モデル ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： プロセスコントロール ,  *半導体製造装置

分類 (2件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (2件)：

• 福田、西堂、佐々木: 「日立国際電気技報」 No.9, P.21-26 (2008)
• 小竹、上村、鎌倉ほか: 「日立国際電気技報」 No.17, P.31 (2016)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体製造装置 ,  開発 ,  シミュレーション技術