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J-GLOBAL ID：202502264297950455   整理番号：25A1972851

先進相互接続のためのデュアルダマシン方式におけるCu/Ru界面の相互混合研究【JST機械翻訳】

The Intermixing Study of Cu/Ru Interface in Dual-Damascene Scheme for Advanced Interconnect

著者 (16件)： Noh Sunyoung (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Kim Yeonuk (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Park Seongho (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Pedreira Olalla Varela (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Buccheri Nunzio (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Kong Myungho (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Kim Hana (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Van Der Veen Marleen H. (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Jung Eunji (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Hong Jungpyo (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Kim Juhyun (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Tokei Zsolt (Imec,Leuven,Belgium,3001) ,  Kim Rak-Hwan (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Lee Seung Hun (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Hyun Sangjin (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea) ,  Song Jaihyuk (Samsung Electronics,Semiconductor R&D Center,Hwasung-Si,The Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2025  号： IITC  ページ： 1-3  発行年： 2025年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuメタライゼーション用の種々の新技術を用いて,ビア底で障壁またはライナを少なくした。ビア底部のバリア厚さは,ライナー厚さと比較してビア抵抗へのより重要な寄与因子であることを実証した。Cu拡張と代替導体相互接続の両方の統合に関して,M_x+V_x-1CuとM_x-1Ruの間の界面問題を,ET測定とパッケージレベルEM信頼性試験によって研究した。その結果,本研究で用いたM_x+V_x-1Cu二重ダマシンメタライゼーションは非常にロバストで健全であり,M_x-1Ruの非常に安定な特性も界面での相互混合や拡散を引き起こさないことを確認した。Copyright 2025 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *銅 ,  *ルテニウム ,  信頼性試験 ,  *相互接続 ,  メタライゼーション ,  導体 ,  ロバスト性 ,  *半導体プロセス ,  *相互混合
準シソーラス用語： *デュアルダマシン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相互接続 ,  デュアルダマシン ,  Cu ,  Ru ,  界面 ,  相互混合 ,  研究