| 体系的番号 |
JPMJCR0185 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0185 |
研究代表者 |
小森 和弘 産業技術総合研究所, 光技術研究部門, グループリーダー
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2006
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| 概要 | 本研究は、光励起直後のコヒーレントな電子状態を位相ロック光パルス列で制御する量子位相制御法を用いた新しいナノデバイスの創製に関するものです。量子ナノ構造中の励起子とフェムト秒レーザ技術の双方を用いることによって基本量子論理素子とコヒーレント制御素子の実現を目指します。これらにより、固体量子計算素子への展開、従来よりも3桁以上高速の超高速光制御素子への展開が期待されます。
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| 研究領域 | 新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製 |
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