体系的番号 |
JPMJSN12E2 |
DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJSN12E2 |
研究責任者 |
新井 康夫 高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授
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研究期間 (年度) |
2012 – 2014
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概要 | 【装置】本プログラム「要素技術タイプ」において開発した Silicon-On-lnsulator (SOI、絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基盤とした半導体)技術を用いたX線イメージング検出器とデータ収集システムを組み合わせたプロトタイプ機を開放(共同利用)します。 【内容】SOI検出器は、高精細・高速・高感度といった特徴を持っており、従来の検出器との互換性が高く、画素毎にCMOS集積回路を搭載できることから、ユーザーに実際に使用してもらい様々な要望を聞くことにより、さらに新たな測定手法を開拓できる可能性があります。本装置の活用により、X線回折やX線異物検査、医療といった多くの分野の研究者・企業への普及が期待されます。
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