| 体系的番号 |
JPMJTM20B1 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM20B1 |
研究代表者 |
久住 孝幸 秋田県産業技術センター, 先進プロセス開発部, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2021
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| 概要 | 絶縁流体中の砥粒に電界を与えて配置制御を行い、加工効率を上げる電界砥粒制御技術を、ワイヤーソー切断加工に導入した「電界スライシング技術」の確立を実現する。本技術により、電気自動車などのメインインバーターなどへの採用が進むSiCウェーハ加工の生産効率を高め、高効率なSiCパワー半導体の更なる普及に寄与する。ワイヤーソーでの切断においては、難加工性から切断効率の向上と、材料ロスの低減が求められており、それぞれ、切断時間40%低減、カーフロス25%低減が求められている。本研究開発により電界スライシング技術専用の絶縁被膜を有する新たなワイヤー工具開発を実施して、達成目標を実現する技術を開発する。
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