研究者
J-GLOBAL ID：200901073163812792   更新日: 2024年02月14日

藤代 博記

フジシロ ヒロキ | Fujishiro Hiroki
所属機関・部署：
東京理科大学 先進工学部 電子システム工学科

東京理科大学 先進工学部 電子システム工学科 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： https://fujishirolab.gitlab.io
研究分野 (3件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (3件)： 化合物半導体電子デバイス ,  化合物半導体薄膜成長 ,  ナノ構造の作製・評価
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2007 - 2009 半導体表面上のナノ構造の作製と評価
  • 2007 - 2009 ナノデバイスシミュレータの開発
  • 2007 - 2009 ナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いた次世代超高速デバイスの研究
  • 2007 - 2009 Fabrication and characterization of nano-structures on semiconductor surfaces
  • 2007 - 2009 Development of nano-device simulator
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論文 (234件)：
  • E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro. Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots. Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)). 2023. FrC2-2
  • R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro. Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer. Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)). 2023. TuC1-4
  • R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe. Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics. Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)). 2023. P2-015
  • Akira Endoh, Koharu Hatori, Naoyuki Kishimoto, Mizuho Hiraoka, Yuta Kemmochi, Yuki Endoh, Koki Osawa, Takuya Hayashi, Ryuto Machida, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Shinsuke Hara, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro. Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2023. 220. 8. 2200529
  • Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida. Schottky barrier contact on In0.53Ga0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxide. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2022. 121. 232102
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MISC (141件)：
  • 尾曽 雅宗、羽鳥 小春、海老原 怜央、神内 智揮、河野 亮介、遠藤 聡、藤代 博記. ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性. 第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集. 2023. 15p-PA05-3
  • 神内 智揮,羽鳥 小春,海老原 怜央,尾曽 雅宗,河野 亮介,遠藤 聡,藤代 博記. InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性. 第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集. 2023. 15p-PA05-2
  • 石井寛仁,大石和明,鯉田崇,清水鉄司,石井裕之,張文馨,遠藤聡,藤代博記,前田辰郎. In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価. 第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集. 2023. 17a-A303-5
  • 石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎. 近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの光応答特性. 第83回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集. 2022
  • 桑原 笑明,山本 恭輔,小関 敬祐,牛頭 信一郎,遠藤 聡,藤代 博記. GaSb基板上InSb量子ドットのサイズ制御とPL特性. 第83回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集. 2022
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特許 (1件)：
書籍 (2件)：
  • 電気・電子工学 電磁気から電子回路まで
    丸善出版 2018 ISBN:9784621302996
  • 高速・高周波デバイスの話 -情報通信システムとデバイスの接点-
    東京理科大学科学フォーラム 215号 2002
講演・口頭発表等 (204件)：
  • Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) 2023)
  • Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) 2023)
  • Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) 2023)
  • In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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学歴 (2件)：
  • - 1984 東京理科大学 理工学研究科 物理学
  • - 1982 東京理科大学 理工学部 物理学科
学位 (2件)：
  • 博士(工学) (東京理科大学)
  • 理学修士 (東京理科大学)
経歴 (6件)：
  • 2010 - 独立行政法人情報通信研究機構 特別研究員
  • 2001 - 2008 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 准教授
  • 2008 - 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 教授
  • 2006 - 2007 マサチューセッツ工科大学 客員研究員
  • 1995 - 2001 沖電気工業(株)半導体技術研究所 主任研究員グループリーダ
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委員歴 (129件)：
  • 2023/06/08 - 2025/06/09 電子情報通信学会 エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会 研究専門委員
  • 2023/06/08 - 2025/06/07 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会 学会の顧問・助言委員等
  • 2023/06/08 - 2025/06/07 電子情報通信学会 ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
  • 2023/08 - 2024/04 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員会委員
  • 2021/06/03 - 2023/06/07 電子情報通信学会 エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会 研究専門委員
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受賞 (1件)：
  • 2011/03/15 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰
所属学会 (38件)：
電子情報通信学会、電子デバイス研究専門委員会 ,  電子情報通信学会、マイクロ波シミュレータ研究専門委員会 ,  電子情報通信学会、マイクロ波シミュレータ研究 専門委員会 ,  電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会 ,  電子情報通信学会 マイクロ波シミュレータ研究専門委員会 ,  電子情報通信学会 エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会 ,  電子情報通信学会, エレクトロニクスサイエティ ,  電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  応用物理学会 ,  応用物理学会 ,  マイクロウエーブ展2014 ,  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010) ,  IEEE Tokyo Section ,  IEEE Metro Area Workshop in Tokyo, 2015 ,  IEEE Japan Council ,  9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011) ,  8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009) ,  7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007) ,  2019Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2019) ,  2018Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017) ,  2017Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017) ,  2015 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2014) ,  2014 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2014) ,  2013 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2013) ,  2012 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2012) ,  2011 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2011) ,  2010 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2010) ,  2009 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2009) ,  2008 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2008) ,  2006 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2006) ,  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007) ,  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2019) ,  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017) ,  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2015) ,  10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013) ,  International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010)
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