特許

J-GLOBAL ID：201403068481627752

半導体装置の製造方法

発明者： 原 紳介 ,  藤代 博記 ,  三木 裕文 ,  色川 勝己
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185660
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045024
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】高密度に量子ドットを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体単結晶基板上にGa等のIII族元素層を形成する工程と、その後、Ga等のIII族元素およびSb等のV族元素を照射してIII族元素層が形成された半導体単結晶基板上にGaSb等のIII-V族量子ドットを形成する工程と、を備える。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上にIII族元素層を形成する工程と、 その後、III族元素およびV族元素を照射して前記III族元素層が形成された半導体単結晶基板上にIII-V族量子ドットを形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L29/06 601D ,  H01L21/203 M

Fターム (8件)：

5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB42 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103PP03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ナノ構造体及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-241522   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

審査官引用 (1件)

• 半導体ナノ構造体及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-241522   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

出願人引用 (4件)

• Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy
• Geometric structure of the Si(111)√3×√3-Ga surface
• Interface engineering for improved growth of GaSbonSi(111)
• Molecular beam epitaxial growth of Si on Ga-activated Si(111) surface

審査官引用 (4件)

• Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy
• Geometric structure of the Si(111)√3×√3-Ga surface
• Interface engineering for improved growth of GaSbonSi(111)
• Molecular beam epitaxial growth of Si on Ga-activated Si(111) surface