文献

J-GLOBAL ID：200902106288724436   整理番号：02A0616151

ACCMによるSiC生成のin-situ観察

In-situ observation of Silicon Carbide formation process by ACCM.

著者 (5件)： 石河学 (立命館大) ,  木村勇気 (立命館大) ,  鈴木仁志 (立命館大) ,  斎藤嘉夫 (京都工繊大) ,  かいと千尋 (立命館大)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 29  号： 2  ページ： 161  発行年： 2002年07月01日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 固相反応によるSiC粒子の生成過程を,ガス中蒸発法で作製した...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0616151&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (2件)：

• 1) SUZUKI H. Phys. Low-Dim. Struct. (2002) vol.5/6,
• 2) KAITO Chihiro. el al. Growth of SiC by Reaction between Thin Films and Ultrafine Particles. Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes. INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS. (1999) vol.38, no.1A, p.213-214. http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.38.213, doi:10.1143/JJAP.38.213

タイトルに関連する用語 (2件)： SiC ,  観察