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J-GLOBAL ID：200902129488940397   整理番号：95A1037253

In-Situ電気化学プロセスを用いたPtゲートInP MESFETの製作

Fabrication of Pt Gate InP MESFET by In-Situ Electrochemical Process.

著者 (5件)： 宇野正一 (北大) ,  葛西誠也 (北大) ,  橋詰保 (北大) ,  長谷川英機 (北大) ,  WU N-J
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 56th  号： 3  ページ： 1115  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学 ,  プロセス ,  Pt ,  ゲート ,  InP ,  MESFET ,  製作