橋詰保

ハシヅメタモツ | Hashizume Tamotsu

所属機関・部署：
職名：特任教授

研究分野 (2件)：薄膜、表面界面物性 , 電気電子材料工学

研究キーワード (3件)：半導体デバイス , Semiconductor device , Semiconductor nanostructure

競争的資金等の研究課題 (38件)：

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論文 (207件)：

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, et al. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 2021. 39. 6
Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, et al. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2021. 39. 6
Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, et al. (Invited) Study of HfO2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. 2021. 104. 4. 113-120
Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 12. 121102-121102
Tamotsu Hashizume, Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato. HfSiOx-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2021. 11686

MISC (267件)：

Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume. Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs. Proceedings of the 34th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress. 2016. 34. INV-1B-01-1-4
谷田部然治, 橋詰保. 依頼講演 Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 115. 108. 1-4
西口賢弥, 橋詰保. AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 338. 91-95
橋詰保, 谷田部然治, 佐藤威友. GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御. 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会. 2014. EDD-14. 39-49. 13-16
橋詰保. F161003 GaN系パワー電子デバイスのための異種接合制御とプロセス技術(【F16100】次世代窒化物半導体デバイスとその精密加工技術の展望,情報・知能・精密機器部門企画,先端技術フォーラム). 年次大会 : Mechanical Engineering Congress, Japan. 2013. 2013. "F161003-1"-"F161003-4"

書籍 (1件)：

学位 (1件)：

経歴 (14件)：

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委員歴 (4件)：

受賞 (6件)：

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所属学会 (2件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会

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