化合物半導体ショットキー障壁高の電気化学プロセスによる制御

文献

J-GLOBAL ID：200902154133366422 整理番号：97A0936275

Schottky Barrier Formation to Compound Semiconductors by in-situ Electrochemical Process and Its Controllability.

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資料名：
巻： 1997 ページ： 67 発行年： 1997年08月
JST資料番号： X0038A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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