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J-GLOBAL ID：200902175396996789   整理番号：95A0571183

電気化学プロセスを用いたPtショットキー障壁の形成とInP MESFETの試作

Formation of Schottky Barriers and Fabrication of InP MESFET by Electrochemical Process.

著者 (6件)： 宇野正一 (北大 工) ,  葛西誠也 (北大 工) ,  中村隆俊 (北大 工) ,  WU N-J (北大 工) ,  橋詰保 (北大 工) ,  長谷川英機 (北大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 3  ページ： 1275  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学 ,  プロセス ,  Pt ,  ショットキー障壁 ,  InP ,  MESFET ,  試作