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J-GLOBAL ID：200902178611334597   整理番号：00A0682322

カーボンおよびSiO包埋粒子の構造

Structure of II-VI semiconductor ultra-fine particles covered with SiO or carbon layer.

著者 (5件)： 谷垣俊明 (立命館大 理工) ,  木村勇気 (立命館大 理工) ,  木村誠二 (立命館大 理工) ,  斎藤嘉夫 (京都工繊大) ,  かい内千尋 (立命館大 理工)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 27  号： 1  ページ： 171  発行年： 2000年07月26日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 不活性ガス中でII-VI族化合物半導体をSiOおよびCと同時...

シソーラス用語： *超微粒子 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (2件)：

• KAITO, C. Phys.Low-Dimen.Struct. 1998, 9/10, 115
• KAITO, C. J.Cryst.Growth. 1982, 57, 199

タイトルに関連する用語 (2件)： カーボン ,  SiO