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J-GLOBAL ID：200902186502011772   整理番号：97A0550112

半導体におけるレーザー励起キャリヤによる光誘起遠赤外複素誘電率変化の測定

New measurement scheme of optically-induced complex index change of semiconductors in the far-infrared region.

著者 (7件)： 和泉田真司 (分子科研) ,  LIU Z (分子科研) ,  大竹秀幸 (分子科研) ,  山中孝弥 (分子科研) ,  猿倉信彦 (分子科研) ,  小山和子 (東大) ,  末元徹 (東大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(年会)  (日本物理学会年会予稿集)
巻： 52  号： 1 Pt 2  ページ： 180  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： S0671A  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザー励起 ,  キャリヤ ,  光誘起 ,  遠赤外 ,  複素誘電率