極低温状態における表面チャネル型ダイヤモンドFETの特性評価

文献

J-GLOBAL ID：200902193301007803 整理番号：02A0465901

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0465901&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0465901&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 49th 号： 2 ページ： 555 発行年： 2002年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0465901&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

, , , ,

前のページに戻る