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J-GLOBAL ID：200902209846818403   整理番号：04A0698133

RFラジカル支援MBE法によるGaN(0001)加工基板へのGaN/AlGaNヘテロ構造の成長

著者 (4件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  及川武 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 1  ページ： 257  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： RIBE【エッチング】 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  ラジカル ,  支援 ,  MBE ,  GaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  成長