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J-GLOBAL ID：200902214557681606   整理番号：06A0265565

MBE選択成長GaAsヘキサゴナルネットワークの形成とBDD節点デバイスの集積化

著者 (12件)： 田村隆博 (北大 院情報科学研究科) ,  田村隆博 (北大 量集セ) ,  玉井功 (北大 院情報科学研究科) ,  玉井功 (北大 量集セ) ,  葛西誠也 (北大 院情報科学研究科) ,  葛西誠也 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 院情報科学研究科) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  長谷川英機 (北大 院情報科学研究科) ,  長谷川英機 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 院情報科学研究科) ,  橋詰保 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 231  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,...
準シソーラス用語： Schottky障壁ゲート電界効果トランジスター ,...

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分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  BDD ,  節点 ,  集積化