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J-GLOBAL ID：200902216329724713   整理番号：09A1004272

ポーラス構造を形成したInP-pn接合基板の電気的特性

著者 (4件)： 吉澤直樹 (北大 量集セ) ,  岡崎拓行 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1296  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *多孔質体 ,  *PN接合 ,  整流 ,  *光起電力 ,  電流電圧特性 ,  ダイオード特性

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポーラス構造 ,  InP ,  PN接合 ,  電気的特性