文献

J-GLOBAL ID：200902220531406623   整理番号：05A0428988

InAs/GaAs単一量子ドットの蛍光寿命測定

著者 (8件)： 河野俊介 (NEC 基礎・環境研) ,  桐原明宏 (NEC 基礎・環境研) ,  富田章久 (NEC 基礎・環境研) ,  中村和夫 (NEC 基礎・環境研) ,  西研一 (NEC システムデバイス研) ,  斉藤英彰 (NEC システムデバイス研) ,  藤方潤一 (NEC 基礎・環境研) ,  大橋啓之 (NEC 基礎・環境研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 3  ページ： 1571  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0428988&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  GaAs ,  単一量子ドット ,  蛍光寿命