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J-GLOBAL ID：200902222559937830   整理番号：05A0845473

MBE選択成長法を用いたGaAs(111)B加工基板へのGaAs/AlxGa1-xAs量子細線の形成

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著者 (4件)：
玉井功

玉井功 について

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佐藤威友

佐藤威友 について

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長谷川英機

長谷川英機 について

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橋詰保

橋詰保 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 66th  号： 3  ページ： 1221  発行年： 2005年09月07日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MBE成長

MBE成長 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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MBE

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GaAs

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量子細線

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