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J-GLOBAL ID：200902235126766091   整理番号：08A0945062

InPポーラス構造を基盤とする電流検出型化学センサの作製

著者 (8件)： 溝畑彰規 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  溝畑彰規 (北大) ,  吉澤直樹 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  吉澤直樹 (北大) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  橋詰保 (北大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1258  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *多孔質体 ,  *化学センサ ,  N型半導体 ,  電気化学反応 ,  *グルコースオキシダーゼ ,  X線光電子スペクトル ,  固定化酵素 ,  過酸化水素 ,  化合物半導体 ,  *電流測定 ,  *電解エッチング
準シソーラス用語： InP

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  ポーラス構造 ,  基盤 ,  電流検出 ,  化学センサ ,  作製