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J-GLOBAL ID：200902244840058172   整理番号：09A0994636

Cl⁺.Br⁺イオン照射によるSiエッチング反応における水素の影響

著者 (4件)： 伊藤智子 (大阪大 大学院) ,  唐橋一浩 (大阪大 大学院) ,  KANG Song-Yun (東京エレクトロン) ,  浜口智志 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 190  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン照射 ,  *塩素 ,  *臭素 ,  *ケイ素 ,  *エッチング ,  *水素 ,  *加工速度 ,  物質流束 ,  四重極質量分析 ,  反応生成物
準シソーラス用語： *エッチング速度

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cl+ ,  イオン照射 ,  Siエッチング ,  水素