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J-GLOBAL ID：200902250567472530   整理番号：06A0444191

電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価

Reliability Evaluation of Thin Gate Dielectric using Conductive Atomic Force Microscopy

著者 (4件)： 世古明義 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  坂下満男 (名古屋大 工) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  財満鎭明 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 日本信頼性学会誌  (REAJ誌)
巻： 28  号： 3  ページ： 163-174  発行年： 2006年05月01日 
JST資料番号： L2778A  ISSN： 0919-2697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超大規模集積回路(Ultra-Large Scale Int...

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (34件)：

• 1) TAKAGI S. Carrier Transport Properties of Thin Gate Oxide after Soft and Hard Breakdown. Microelec. Eng.. (2001) vol.59, p.5-15.
• 2) OKADA K. New Experimental Findings on Stress induced Leakage Current of Ultra Thin Silicon Dioxides. Ext. Abs. Solid State Devices and Materials. (1994)
• 3) 舛岡富士夫. 不揮発性半導体メモリに要求される酸化膜の信頼性. 超LSI技術. 工業調査会. vol.19, p.29-58.
• 4) 佐竹秀喜. 5.8.1極薄酸化膜の信頼性, 次世代ULSIプロセス技術5章ゲート絶縁膜と信頼性. REALIZE.
• 5) 安田幸夫. SPM法による極薄酸化膜の局所信頼性評価. 極薄シリコン酸化膜の形成 評価 信頼性 (第七回研究会) 予稿集, 2002. 1. (2002)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電流検出 ,  原子間力顕微鏡法 ,  極 ,  ゲート絶縁膜 ,  信頼性評価