酒井朗

サカイアキラ | Sakai Akira

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (4件)：無機材料、物性 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (4件)：メモリスタ , ナノビームX線回折 , 窒化物半導体結晶 , IV族半導体結晶

競争的資金等の研究課題 (22件)：

2016 - 2021 総括班

2016 - 2021 結晶特異構造およびその挙動のマルチスケール構造解析評価

2017 - 2020 高配向2次元転位網メモリスタによる高機能シナプティックプラットフォームの開発

2017 - 2019 酸素空孔分布トポロジーの制御に基づく多元シナプス素子創製

2013 - 2016 サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性{20-2-1}面GaN基板の作製

2013 - 2016 4端子メムリスタを用いた信号伝達相関型シナプス素子の創製

2012 - 2015 貼り合せ金属酸化物における高配向転位フィラメント伝導の機構・機能探索

2006 - 2009 ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成

2007 - 2008 ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発

2006 - 2008 非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成

2004 - 2006 超均一歪場の実現に向けたIV族系半導体ヘテロ歪結晶格子の変形制御

2003 - 2005 IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング

2001 - 2004 単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

1999 - 2003 人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発

2000 - 2002 その場透過電子顕微鏡による強誘電体薄膜の劣化ダイナミクスに関する研究

2000 - 2002 界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究

2001 - 2001 熱負荷プロセスにおける異種絶縁膜界面の構造遷移機構の原子レベル解析

全件表示

論文 (578件)：

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai. Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 22
Tomoki Onabe, Zhendong Wu, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Takahiro Naito, Kohei Hamaya, Akira Sakai. Local strain distribution analysis in strained SiGe spintronics devices. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2
Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai. Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 167
Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai. Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates. Journal of Electronic Materials. 2023
Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai. Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates. Scientific Reports. 2023. 13. 1

MISC (355件)：

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗. ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
山本望, 林侑介, 濱地威明, 中西悠太, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 正直花奈子, 三宅秀人, et al. ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
安達健太, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. 4端子平面型TiO_2-xメモリスタ素子におけるゲート制御に基づくシナプス特性の変調. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
池内太志, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. 4端子平面型アモルファスGaO_xメモリスタ素子の開発と抵抗変化特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
塩見春奈, 嶋田章宏, 藤平哲也, 林侑介, 金木奨太, 橋詰保, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 酒井朗. AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th

特許 (43件)：

Works (5件)：

学位 (1件)：

受賞 (2件)：

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

酒井 朗