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J-GLOBAL ID：200902271882022779   整理番号：09A0284602

ジルコニウムアノード酸化皮膜の誘電特性に及ぼすSi添加量の影響

著者 (3件)： 小山瞬 (北大 大学院) ,  青木芳尚 (北大 大学院) ,  幅崎浩樹 (北大 大学院)
資料名： 表面技術協会講演大会講演要旨集
巻： 119th  ページ： 105-106  発行年： 2009年03月02日 
JST資料番号： Y0050A  ISSN： 0917-2947  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ジルコニウム ,  *ジルコニウム合金 ,  ケイ素添加合金 ,  *アノード酸化 ,  酸化膜 ,  *誘電性 ,  電解コンデンサ ,  *静電容量 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  電気測定 ,  Bode線図 ,  電圧変動 ,  透過型電子顕微鏡 ,  膜厚 ,  結晶化 ,  陽極酸化皮膜 ,  インピーダンス測定 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： 電圧変化

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ジルコニウム ,  アノード酸化皮膜 ,  誘電特性 ,  Si ,  添加量