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J-GLOBAL ID：200902282245807535   整理番号：05A0843846

RF-MBE法によるGaN(0001)加工基板へのAlGaN/GaN成長と,その選択性

著者 (4件)： 及川武 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 66th  号： 1  ページ： 271  発行年： 2005年09月07日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF-MBE ,  GaN ,  AlGaN ,  成長 ,  選択性