次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価

文献

J-GLOBAL ID：200902287963657268 整理番号：06A0315215

Engineering of strain and dislocations at group IV semiconductor thin-film interfaces for next-generation silicon ULSI

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資料名：
巻： 75 号： 4 ページ： 426-434 発行年： 2006年04月10日
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

次世代シリコンULSIの開発は,これまでのスケーリング則に準...

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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

引用文献 (56件)：

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