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J-GLOBAL ID：200902295354652872   整理番号：07A1007402

Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御

著者 (8件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  中根了昌 (東大 大学院) ,  竹中充 (東大 大学院) ,  菅原聡 (東京工大) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 343  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *核形成 ,...
準シソーラス用語： けい素基板 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  化合物半導体 ,  MOVPE ,  初期 ,  過程 ,  観察