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J-GLOBAL ID：200902295687666340   整理番号：05A0425699

MBE選択成長法によるGaN(0001)加工基板上へのAlGaN/GaNナノ構造形成メカニズム

著者 (4件)： 及川武 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 1  ページ： 379  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  GaN ,  AlGaN ,  構造形成 ,  メカニズム