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J-GLOBAL ID：200902297806900464   整理番号：07A0383664

グリコール水溶液を用いた電気化学プロセスによるGaN表面酸化薄膜の形成

著者 (3件)： 塩崎奈々子 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1488  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： グリコール

タイトルに関連する用語 (7件)： グリコール ,  水溶液 ,  電気化学 ,  プロセス ,  GaN ,  表面酸化 ,  薄膜