特許
J-GLOBAL ID：200903021113554480

非対称電極を用いた共振型半導体光変調器

発明者：
川西 哲也

川西 哲也 について

, 
井筒 雅之

井筒 雅之 について


出願人/特許権者：
独立行政法人通信総合研究所

独立行政法人通信総合研究所 について


代理人 (1件)： 福田 賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044811
公開番号（公開出願番号）：特開2003-241151
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：
【要約】【課題】 変調信号である高周波電力を共振器を通じて半導体光変調素子に印加することにより、その高周波電力の消費を抑制できる構成にして、変調効果の高い非対称電極を用いた共振型半導体光変調器を実現する。【解決手段】 半導体光変調素子と、オープンスタブと、それに接続されたショートスタブと、それらに接続された配線と、共通電極とを含み、上記のオープンスタブとショートスタブとは接触して形成され、また、オープンスタブに半導体光変調素子が接続された構成とするか、あるいは、半導体光変調素子と、第1のオープンスタブと、それとは異なる長さを持ちそれに接続された第2のオープンスタブと、それらに接続された配線と、共通電極とを含み、第1と第2のオープンスタブとは接触して形成され、上記の配線とオープンスタブとの接続部以外のいずれかのオープンスタブ部分に上記の半導体光変調素子が接続された構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体光変調素子と、オープンスタブと、該オープンスタブに接続されたショートスタブと、該オープンスタブと該ショートスタブに電磁的に接続された配線と、共通電極とを含み、上記のオープンスタブとショートスタブとは接触して形成され、また、オープンスタブに半導体光変調素子が接続された構成を備えることを特徴とする非対称電極を用いた共振型半導体光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/015 502 ,  G02F 1/025
FI (2件)：
G02F 1/015 502 ,  G02F 1/025
Fターム (12件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB12 ,  2H079EB15 ,  2H079HA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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