特許
J-GLOBAL ID：200903048073159944
半導体レーザ素子および半導体レーザジャイロ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-298492
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124046
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】全反射モードでのレーザ光の励起が可能であり、且つ、共振器からのレーザ光の取り出しが容易な半導体レーザ素子、およびそれを用いた半導体レーザジャイロを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、共振器30を備える半導体レーザ素子であって、共振器30の端面において全反射され多角形の周回光路40を互いに逆方向に周回する第1および第2のレーザ光L1およびL2を励起する。周回光路40の途中には、共振器の実効屈折率とは異なる屈折率を有するエアギャップ41a〜41dが形成されている。第1および第2のレーザ光L1およびL2の一部は、エアギャップ41a〜41dで反射されて出射される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
多層膜で構成された共振器を備える半導体レーザ素子であって、
前記半導体レーザ素子は、前記共振器の端面において全反射され多角形の光路を互いに逆方向に周回する第1および第2のレーザ光を励起し、
前記光路の途中には、前記共振器の実効屈折率とは異なる屈折率を有する少なくとも1つのギャップが形成されており、
前記第1および第2のレーザ光から選ばれる少なくとも1つの光の一部が、前記ギャップで反射されて出射される半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
2F105DD06
, 2F105DD11
, 2F105DE03
, 2F105DE23
, 5F173AA16
, 5F173AB49
, 5F173AB50
, 5F173AF49
, 5F173AP05
, 5F173AR12
出願人引用 (1件)
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光ジャイロ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-033277
出願人：キヤノン株式会社
審査官引用 (5件)
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特開平4-085503
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特開平4-067119
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特開平3-040480
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