特許
J-GLOBAL ID：200903053183849710
目的膜の製造方法及びそれによって得られた目的膜並びに複層構造物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
成瀬 重雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001010111
公開番号（公開出願番号）：WO2002-040751
出願日： 2001年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月23日
要約：
本発明は、結晶性の良い目的膜を低コストで製造できる方法を提供するものである。この方法においては、シリコン単結晶からなる基板(1)の上面に、中間層(2)をエピタキシャル成長させる。中間層(2)としては、例えばシリサイド(MSix)である。ついで、中間層(2)の上面に、目的膜(3)をエピタキシャル成長させる。目的膜(3)としては、例えば、太陽電池となるシリコン結晶である。ついで、中間層(2)をエッチングにより除去する。これにより、目的膜(3)を基板から取り外すことができる。本発明により、結晶性の良い薄膜を低コストで製造することができ、各種のデバイス製造における利用が期待できる。
請求項（抜粋）：
下記のステップを含むことを特徴とする、目的膜の製造方法;
(1)結晶性の良い基板の表面に中間層をエピタキシャル成長させるステップ、
(2)前記中間層の表面に目的膜をエピタキシャル成長させるステップ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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