特許

J-GLOBAL ID：200903059572266133

半導体レーザ装置

発明者： 佐々木 敬彦 ,  中榮 穣 ,  原山 卓久 ,  田中 智子 ,  チェ ムハン ,  福嶋 丈浩
出願人/特許権者： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-088727
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266270
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】複数のレーザ光を、それぞれの強度および方向を調整して出力できる新規な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、基板11と、基板11上に形成され活性層を含む半導体多層膜20と、半導体多層膜20の上面と接触する第1の電極13と、基板11の裏面側に接触する第2の電極14とを含む。活性層は、互いに対向する第1および第2の端面と、互いに対向する第3および第4の端面とを有する。第1の電極13の表面のうち特定の電圧印加部と第2の電極14との間に電圧を印加して活性層に電流を注入することによって、第1および第2の端面から複数のレーザ光が出射される。そして、電圧印加部の位置および注入電流の大きさから選ばれる少なくとも1つを変更することによって、複数のレーザ光の光強度および方向が制御される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され活性層を含む半導体多層膜と、前記半導体多層膜の上面と接触する第1の電極と、前記基板の裏面側に接触する第2の電極とを含む半導体レーザ装置であって、 前記活性層は、互いに対向する第1および第2の端面と、互いに対向する第3および第4の端面とを有し、 前記第1、第2、第3および第4の端面は、それぞれ、仮想の菱形の第1、第2、第3および第4の頂点の位置に存在し、 前記第1の電極の表面のうち特定の電圧印加部と前記第2の電極との間に電圧を印加して前記活性層に電流を注入することによって、前記第1および第2の端面から複数のレーザ光が出射され、 前記電圧印加部の位置および前記電流の大きさから選ばれる少なくとも1つを変更することによって、前記複数のレーザ光の光強度および方向が制御される、半導体レーザ装置。

IPC (1件)：

H01S 5/10

FI (1件)：

H01S5/10

Fターム (19件)：

5F173AA21 ,  5F173AB50 ,  5F173AB51 ,  5F173AB62 ,  5F173AB65 ,  5F173AG12 ,  5F173AH02 ,  5F173AK21 ,  5F173AP04 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AP64 ,  5F173AP73 ,  5F173AP79 ,  5F173AP87 ,  5F173AP92 ,  5F173AR12 ,  5F173AR58

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光ジャイロ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033277   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-020755   出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所

審査官引用 (2件)

• 半導体レ-ザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234437   出願人：株式会社デンソー
• 半導体レーザジャイロ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-059402   出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所, 岡山県