特許
J-GLOBAL ID：200903061231424754
半導体レーザ
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 隆夫
, 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-277599
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005836
出願日： 2006年10月11日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】従来の出射方向と異なる出射方向を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ10は、基板1と、キャビティ2と、絶縁膜3と、正極電極4と、負極電極5とを備える。キャビティ2は、基板1上に形成される。絶縁膜3は、キャビティ2上に形成される。正極電極4は、キャビティ2上にリング形状に形成される。負極電極5は、基板1の裏面に形成される。キャビティ2は、曲面から成る出射面及び対向面を両端に有する。また、キャビティ2は、GaAsを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、
前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、
前記正極電極及び前記負極電極の一方の電極は、リング形状から成り、
前記リング形状の2つの対角線の比は、前記キャビティが出射するレーザ光の方向に応じて決定される、半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F173AB50
, 5F173AH02
, 5F173AK08
, 5F173AK21
, 5F173AP35
, 5F173AP47
, 5F173AR57
, 5F173AR58
審査官引用 (2件)
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光半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-335087
出願人：浜松ホトニクス株式会社
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半導体リングレーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-184265
出願人：株式会社クボタ
引用文献：
審査官引用 (1件)
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共焦点疑似スタジアム型半導体レーザにおける非対称なビーム伝搬
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