特許

J-GLOBAL ID：200903061231424754

半導体レーザ

発明者： 原山 卓久 ,  福嶋 丈浩 ,  ピーター デイビス
出願人/特許権者： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
代理人 (2件)： 松山 隆夫 ,  鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-277599
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005836
出願日： 2006年10月11日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】従来の出射方向と異なる出射方向を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ10は、基板1と、キャビティ2と、絶縁膜3と、正極電極4と、負極電極5とを備える。キャビティ2は、基板1上に形成される。絶縁膜3は、キャビティ2上に形成される。正極電極4は、キャビティ2上にリング形状に形成される。負極電極5は、基板1の裏面に形成される。キャビティ2は、曲面から成る出射面及び対向面を両端に有する。また、キャビティ2は、GaAsを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、 前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、 前記正極電極及び前記負極電極の一方の電極は、リング形状から成り、 前記リング形状の2つの対角線の比は、前記キャビティが出射するレーザ光の方向に応じて決定される、半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/042

FI (2件)：

H01S5/10 ,  H01S5/042 612

Fターム (8件)：

5F173AB50 ,  5F173AH02 ,  5F173AK08 ,  5F173AK21 ,  5F173AP35 ,  5F173AP47 ,  5F173AR57 ,  5F173AR58

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335087   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体リングレーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-184265   出願人：株式会社クボタ

引用文献：

審査官引用 (4件)

• 共焦点疑似スタジアム型半導体レーザにおける非対称なビーム伝搬
• 共焦点疑似スタジアム型半導体レーザにおける非対称なビーム伝搬
• 共焦点疑似スタジアム型半導体レーザにおける非対称なビーム伝搬
• 共焦点疑似スタジアム型半導体レーザにおける非対称なビーム伝搬