特許
J-GLOBAL ID:200903079373639304

半導体レーザおよびそれを備えたレーザモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松山 隆夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-083846
公開番号(公開出願番号):特開2008-244216
出願日: 2007年03月28日
公開日(公表日): 2008年10月09日
要約:
【課題】高次モードを抑制し、かつ、信頼性が高い半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ1は、バッファ層2、クラッド層3、光閉じ込め層4、活性層5、光閉じ込め層6、クラッド層7およびコンタクト層8が基板1上に順次積層され、活性層5に隣接して窓部材11を備える構造からなる。窓部材11は、活性層5で発振したレーザ光の波長に相当するエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する半導体材料からなり、活性層5の出射面と反対側に曲面11Aを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に形成され、レーザ光を出射する活性層と、 前記レーザ光の前記活性層における出射面に接して配置されるとともに、前記レーザ光の波長に相当するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体材料からなり、前記出射面に接した側と反対側に曲面を有する窓部材とを備える半導体レーザ。
IPC (1件):
H01S 5/16
FI (1件):
H01S5/16
Fターム (13件):
5F173AA12 ,  5F173AA47 ,  5F173AB50 ,  5F173AB74 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AP62 ,  5F173AP87 ,  5F173AR33 ,  5F173AR68
引用特許:
審査官引用 (5件)
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