特許
J-GLOBAL ID：200903035879697275

端面発光型半導体レーザおよび半導体レーザ・モジュール

発明者：
千田 浩明

千田 浩明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-288456
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101139
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 ビーム・ステアリングの発生を効果的に抑制し、簡単な構成で最大出力を向上できる半導体レーザを提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、活性層お4よび第2クラッド層8を含んで形成された共振器として機能するストライプ状光導波路を設ける。この光導波路は、端面32側の幅の狭いストレート状の基本モード導波部と、出射端面31側のそれよりも幅の広いストライプ状の多モード導波部と、それらを結合するテーパー部を含む。基本モード導波部の少なくとも一部において活性層4への電流注入を抑制する電流注入抑制手段として、電流非注入部8aを第2クラッド層8に形成する。電流非注入部8aは電流ブロック層10により覆われる。
請求項（抜粋）：
活性層およびクラッド層を含んで形成された、共振器として機能する光導波路と、前記光導波路の一端が接続された、出射端面として機能する第1端面と、前記光導波路の他端が接続された、出射端面の反対側にある第2端面とを備え、前記光導波路が幅の異なる少なくとも二つの部分を含んでいると共に、それら少なくとも二つの部分のうちの一つが基本モード導波部とされている端面発光型半導体レーザにおいて、前記基本モード導波部の少なくとも一部において前記活性層への電流注入を抑制する電流注入抑制手段を有していることを特徴とする端面発光型半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 5/16 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/22
FI (4件)：
H01S 5/16 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/22
Fターム (26件)：
2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037CA08 ,  2H037DA03 ,  2H037DA35 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA35 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073BA01 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073DA14 ,  5F073DA15 ,  5F073EA16 ,  5F073EA18 ,  5F073EA24 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA07 ,  5F073GA12 ,  5F073GA14
引用特許：
審査官引用 (16件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM