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J-GLOBAL ID：201002200324128281   整理番号：10A0003351

長方形オリゴチオフェンの合成,特性,およびFET性能

Synthesis, properties, and FET performance of rectangular oligothiophene

著者 (3件)： IE Yutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIROSE Tomoya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASO Yoshio (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 19  号： 43  ページ： 8169-8175  発行年： 2009年11月21日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリル末端オリゴチオフェンと2-ヨード-7-エチニル-ベンゾチオフェンのEglinton-Galbraithカップリング反応により長方形の環状オリゴチオフェンを合成した。紫外可視吸収スペクトル,近赤外スペクトル,サイクリックボルタンメトリーによりキャラクタリゼーションを行った。B3LYP/6-31G(d,p)レベルの密度汎関数法計算により電子構造を考察した。酸化ケイ素/ケイ素基板上にスピンコート膜を形成し,金電極を積層してOFETを作製した。正孔移動度7.3×10^-3cm²/Vs,オンオフ比2.0×10⁸,しきい電圧-7Vを確かめた。

シソーラス用語： *ポリチオフェン類 ,  オリゴマ ,  *環状構造 ,  化学合成 ,  有機ケイ素化合物 ,  カップリング反応 ,  アセチレン化合物 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  近赤外スペクトル ,  サイクリックボルタンメトリー ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  酸化ケイ素 ,  スピンコーティング ,  金電極 ,  積層構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  電圧 ,  閾値電圧 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Eglintonカップリング ,  オンオフ比 ,  珪素基板 ,  *OFET ,  ベンゾチオフェン化合物

分類 (5件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  環化反応,開環反応  (CF02050I) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

物質索引 (1件)： 5,5′′-[3′,4′-ジデシル-2,2′:5′,2′′-テルチオフェン-5,5′′-ジイルビス[3-デシルベンゾ[b]チオフェン-2,7-ジイル[1,3-ブタジイン-1,4-ジイル(3-デシルベンゾ[b]チオフェン-7,2-ジイル)]]]-3′,4′-ジデシル-2,2′:5′,2′′-テルチオフェン

タイトルに関連する用語 (3件)： 長方形 ,  オリゴチオフェン ,  FET