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J-GLOBAL ID:201002263931730243   整理番号:10A1037492

Siナノ粒子を用いた量子ドット増感太陽電池

Quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles
著者 (7件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 597-599  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: L4468A  ISSN: 1382-3469  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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1個のバンドギャップ材料の通常の太陽電池は,低上限変換効率(~32%)で,製造コストが高い欠点を有する。これらの問題を克服する第三世代太陽電池の一つとして,多重励起子発生(MEG)を使った新規な太陽電池が,大きな注目を引いている。筆者らは,多重励起子発生(MEG)太陽電池の一つとして,Siナノ粒子を用いた量子ドット増感太陽電池の開発を行った。本研究では,H2+SiH4(0.3%)のガス流を用い,直系5mmの多重中空中,放電プラズマCVDによりSiナノ粒子の合成を行った。粒径は,圧力を変えることにより制御することができた。太陽電池の作製は,次のように行った。まずFTOガラス上にTiO2ペーストを被覆,450°C,30分焼結,得られたTiO2被覆FTOガラスをアンカー剤(有機硫黄化合物)溶液中に浸漬後,合成したSiナノ粒子分散液に浸漬してTiO2膜上にSiナノ粒子を室温下に吸着,対電極は炭素で被覆した。2つの電極間は150μmとし,その中に電解質KI+I2溶液を満たして作製した。また新しい方法として,TiO2とSiナノ粒子を予め1:0.006の比率で混合,これをTiO2被覆FTOガラス上に被覆,450°C,30分焼結する方法を提案した。電池のI-V特性を測定した結果,提案の方法では高電流密度が得られ,Siナノ粒子から外部回路へキャリアを取り出せることが実証された。非晶質および結晶構造のナノ粒子は,太陽電池の光電子放出材料として作用することが分かった。
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太陽電池 
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