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J-GLOBAL ID：201002276188421766   整理番号：10A0032468

アモルファスシリケートM_0.1Si_0.9O_x薄膜における伝導率サイズスケーリングの添加元素M依存性

Dopant M Dependence of Size-Scaling of Proton Conductivity in Amorphous Silicate M_0.1Si_0.9O_x Thin Films

著者 (2件)： 青木芳尚 (北大 大学院) ,  幅崎浩樹 (北大 大学院)
資料名： 固体イオニクス討論会講演要旨集  (Extended Abstracts. Symposium on Solid State Ionics in Japan)
巻： 35th  ページ： 168-169  発行年： 2009年12月07日 
JST資料番号： L1398A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルカリケイ酸ガラス ,  *プロトン伝導 ,  固体電解質 ,  *固体内拡散 ,  スピンコーティング ,  薄膜成長 ,  加水分解 ,  Rutherford散乱分光法 ,  電気化学インピーダンス ,  ハフニウム化合物 ,  チタン化合物 ,  ランタン化合物 ,  ガリウム化合物 ,  サイズ効果 ,  電気伝導率 ,  空間電荷 ,  電解質膜

分類 (3件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： アモルファス ,  シリケート ,  薄膜 ,  伝導率 ,  サイズ ,  スケーリング ,  添加元素 ,  依存性