特許

J-GLOBAL ID：201003089519164199

微小構造体の集積方法,微小構造体およびマイクロデバイス

発明者： 下山 勲 ,  松本 潔 ,  岩瀬 英治 ,  中井 亮仁 ,  尾上 弘晃
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (3件)： 牛木 護 ,  吉田 正義 ,  高橋 知之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008050729
公開番号（公開出願番号）：WO2008-088069
出願日： 2008年01月21日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

微小部材となる構造体の材料や構造に限定されず、基板上の任意の位置に配置された構造体を選択的に基板から分離し、高い位置精度および集積密度で被転写基板に転写することができるだけでなく、一度に多数の微小構造体を形成することができ、効率や生産性を向上させた微小構造体の集積方法,微小構造体およびマイクロデバイスを提供する。上面に第1の層5が形成され、さらにこの第1の層5の上面に第2の層6が形成された被転写基板4の上面に、基板1に一方の面が接着された構造体2の他方の面を押し付ける押印ステップと、構造体2を少なくとも第2の層6に保持する保持ステップと、基板1を構造体2から剥離する剥離ステップと、第2の層6を除去する除去ステップとを備えた集積方法により、微小構造体およびマイクロデバイスを製造した。

請求項（抜粋）：

上面に第1の層が形成され、さらにこの第1の層の上面に第2の層が形成された被転写基板の上面に、基板に一方の面が接着された構造体の他方の面を押し付ける押印ステップと、 前記構造体を少なくとも前記第2の層に保持する保持ステップと、 前記基板を前記構造体から剥離する剥離ステップと、 前記第2の層を除去する除去ステップと を備えたことを特徴とする微小構造体の集積方法。

IPC (1件)：

B81C 99/00

FI (1件)：

B81C5/00

Fターム (5件)：

3C081AA01 ,  3C081AA18 ,  3C081CA31 ,  3C081DA11 ,  3C081DA41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 微小構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-016586   出願人：富士ゼロックス株式会社