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J-GLOBAL ID：201102233221781850   整理番号：11A0635824

シリコン添加ジルコニアアノード酸化皮膜の電気特性

著者 (5件)： 小山瞬 (北大 大学院) ,  青木芳尚 (北大 大学院) ,  幅崎浩樹 (北大 大学院) ,  永田晋二 (東北大 金属材料研) ,  木村久道 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所金属ガラス総合研究センター共同利用研究報告書
巻： 2009  ページ： 13-14  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： L3700A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZrおよびZr-Si合金(5.5,10および16at%Si)に生成するアノード酸化皮膜の構造および静電容量に及ぼす合金組成の影響を調べた。試料を0.1kmol m^-3(NH₄)₂B₁₀O₁₆溶液(298K)に浸漬し定電流を印加させて酸化皮膜を形成させ,TEM観察,インピーダンス測定を行って評価した。その結果,アモルファスアノード酸化皮膜では加成性が成立し皮膜特性が構成金属単体に生成する酸化膜の組成平均となるが,結晶性酸化物が生成すると構成金属単体を上回る特性を示す可能性があることが判明した。

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *アノード酸化 ,  酸化膜 ,  ケイ素化合物 ,  酸化ジルコニウム ,  *ジルコニウム ,  *ジルコニウム合金 ,  ケイ素添加合金 ,  ホウ酸塩 ,  アンモニウム化合物 ,  非晶質 ,  浸漬 ,  静電容量 ,  結晶化 ,  誘電体 ,  化成皮膜

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  化成処理  (WC08050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ジルコニア ,  アノード酸化皮膜 ,  電気特性