特許
J-GLOBAL ID：201103013677700422
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095676
公開番号（公開出願番号）：特開2003-288792
特許番号：特許第3840193号
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ビット線に接続される第1選択トランジスタと、第2選択トランジスタと、前記第1及び第2選択トランジスタの間に直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルのうち、選択メモリセルに対して書き込みを行うための書き込み手段とを具備し、
前記書き込み手段は、書き込み時に、前記選択メモリセルのゲ-ト電極に書き込み電位を印加し、前記第1選択トランジスタのゲート電極に第1電位を印加し、前記選択メモリセルの前記第1選択トランジスタ側に隣接するメモリセルのゲ-ト電極に、前記書き込み電位よりも低く、前記第1電位よりも高い第2電位を印加し、前記選択メモリセルの前記第2選択トランジスタ側に隣接するメモリセルのゲ-ト電極に、前記第2電位よりも低い第3電位を印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ( 200 6.01)
, G11C 16/04 ( 200 6.01)
, G11C 16/02 ( 200 6.01)
G11C 17/00 633 D
, G11C 17/00 622 E
, G11C 17/00 641
, G11C 17/00 634 A
