半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-325465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151385
特許番号：特許第3695967号
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ソースに第1電位を受ける第1導電型の第1トランジスタと、ソースに前記第1電位を受け、ゲートを前記第1トランジスタのドレインに接続し、ドレインを前記第1トランジスタのゲートに接続した第1導電型の第2トランジスタと、ドレインに前記第1トランジスタのドレインからの電位を受け、ゲートに第1信号を受け、ソースに第2信号を受ける第2導電型の第3トランジスタとを具備し、前記第1電位は前記第1信号のハイレベル時の電位に対して正電位、前記第1導電型はP型、前記第2導電型はN型であり、前記第3トランジスタは、ゲート、ソースおよび基板に前記第1信号のロウレベルの電位が印加され、ドレインに前記第1電位が入力された状態において、弱反転状態又は強反転状態であり、前記第3トランジスタは接地電位が印加されるP型半導体領域に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (1件)：

H03K 19/0185

FI (1件)：

H03K 19/00 101 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-284803 出願人：富士通株式会社
電圧変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-002682 出願人：日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド
レベルシフタ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000998 出願人：沖電気工業株式会社

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