半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283600
特許番号：特許第3563702号
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体層上に形成される複数の電気的に書き替え可能なメモリセルと、前記複数のメモリセルに書き込み電圧を印加してデータを書き込むための書き込み回路と、前記書き込み電圧を調整するための書き込み電圧調整回路と、前記書き込み電圧を前記複数のメモリセルに印加し、前記複数のメモリセルの期待される特性値と実際の特性値の差から前記書き込み電圧の調整を行うテストシステムとを備え、前記テストシステムは前記複数のメモリセルのうち所定のしきい値範囲外のしきい値を持つセルを除外して前記実際の特性値を割り出すことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 , G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (6件)：

G11C 29/00 673 V , G11C 29/00 603 Z , G11C 17/00 611 E , G11C 17/00 612 E , G11C 17/00 632 C , G11C 17/00 639 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249957 出願人：富士通株式会社

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