化学気相成長装置、化学気相成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：木村満 , 石井裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-178815
公開番号（公開出願番号）：特開2011-032120
出願日： 2009年07月31日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】カーボンナノチューブを大面積の基板上に高速に形成する化学気相成長装置等を提供する。【解決手段】化学気相成長装置101において、ノズル102は、炭素源ガスを供給し、ヘッド103は、表面に触媒を配置した基板106の一部を覆うスカート123を有し、ノズル102から供給された炭素源ガスを基板106の対向する領域に供給し、移動部104は、基板106に対してヘッド103を所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させ、加熱部105は、基板106に対してヘッド103が移動される間、基板106の表面のうち、ヘッド103に対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素源ガスを供給するノズルと、表面に触媒を配置した基板の一部を覆い、前記ノズルから供給された炭素源ガスを前記基板の対向する領域に供給するとともに、当該覆われた領域からの当該炭素源ガスの流出と当該領域への外気の混入とを抑止するため前記ノズルよりも当該基板に近接するように突出したスカートを有するヘッドと、前記基板に対して前記ヘッドを所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させる移動部と、前記基板に対して前記ヘッドが移動される間、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された領域を加熱する加熱部と、を備えることを特徴とする化学気相成長装置。

IPC (8件)：

C01B 31/02 , C23C 16/54 , C23C 16/455 , C23C 16/511 , C23C 16/44 , C23C 16/26 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (8件)：

C01B31/02 101F , C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/44 A , C23C16/26 , H01L21/205 , H01L21/285 C

Fターム (31件)：

4G146AA11 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 4G146DA23 , 4G146DA26 , 4G146DA27 , 4G146DA31 , 4G146DA43 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030EA04 , 4K030EA11 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045EE20 , 5F045EF01 , 5F045EF20 , 5F045EN04

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