文献
J-GLOBAL ID：201202106440069380
整理番号：12A1365837
低温プロセスによりn-Si(100)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の非接触C-V法による評価
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著者 (6件)：
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資料名：
巻：
47th
号：
2
ページ：
839
発行年：
2000年03月28日
JST資料番号：
Y0054A
資料種別：
会議録 (C)
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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