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J-GLOBAL ID：201202165504747812   整理番号：12A1416966

先端放電型マイクロ波プラズマCVD装置を用いたIr基板上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル薄膜の作製

著者 (10件)： 藤崎豊克 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  立木実 (JST-CREST) ,  梅澤仁 (早稲田大 理工) ,  梅澤仁 (JST-CREST) ,  谷山記一 (ミクロ電子) ,  工藤稔 (ミクロ電子) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (JST-CREST) ,  川原田洋 (FCT-JFCC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 48th  号： 2  ページ： 581  発行年： 2001年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ波プラズマCVD ,  Ir ,  薄膜 ,  作製